ترانزیستور پیوند نامتناجس (به انگلیسی heterojunction bipolar transistor (HBT) ) نوعی از ترانزیستور است که از نیمه هادی های متفاوتی در ناحیه امیتر و بیس ساخته شده و یک پیوند نامتناجس به وجود آمده است. برتری HBT نسبت به BJT این است که می تواند در فرکانس های بسیار بالا تا حدود چند صد گیگاهرتز کار کند. از این ترانزیستور معمولاً در مدارات نسل جدید بسیار سریع و فرکانس رادیویی که نیازمند راندمان بالا نیز...
